Počet záznamů: 1

Low voltage control of ferromagnetism in a semiconductor p-n junction

  1. 1.
    0324990 - FZU-D 2009 RIV DE eng J - Článek v odborném periodiku
    Owen, M.H.S. - Wunderlich, J. - Novák, Vít - Olejník, Kamil - Zemen, Jan - Výborný, Karel - Ogawa, S. - Irvine, A.C. - Ferguson, A.J. - Sirringhaus, H. - Jungwirth, Tomáš
    Low voltage control of ferromagnetism in a semiconductor p-n junction.
    [Feromagnetismus ovládaný nízkým napětím v polovodičovém p-n přechodu.]
    New Journal of Physics. Roč. 11, č. 2 (2009), 023008/1-023008/9 ISSN 1367-2630
    Grant CEP: GA MŠk LC510; GA AV ČR KAN400100652; GA ČR GEFON/06/E002; GA ČR GEFON/06/E001
    GRANT EU: European Commission(XE) 015728 - NANOSPIN
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100521
    Klíčová slova: ferromagnetic semiconductor * p-n junction * field-effect transistor
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 3.312, rok: 2009

    Low voltage control of ferromagnetism in a semiconductor p-n junction is studied experimentally and theoretically.

    Feromagnetismus ovládaný nízkým napětím v polovodičovém p-n přechodu je studován experimentálně a teoreticky.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0172558