Počet záznamů: 1

Mechanical properties and structure of amorphous and crystalline B.sub.4./sub.C films

  1. 1.
    0322294 - FZU-D 2009 RIV CH eng J - Článek v odborném periodiku
    Kulykovskyy, Valeriy - Vorlíček, Vladimír - Boháč, Petr - Čtvrtlík, Radim - Stranyánek, Martin - Deyneka, Alexander - Jastrabík, Lubomír
    Mechanical properties and structure of amorphous and crystalline B4C films.
    [Mechanické vlastnosti a struktura amorfních a krystalických vrstev B4C.]
    Diamond and Related Materials. Roč. 18, č. 1 (2009), 27-33 ISSN 0925-9635
    Grant CEP: GA AV ČR KAN301370701; GA MŠk OC 097
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z10100520
    Klíčová slova: sputtering * hardness * elastic modulus * boron carbide films
    Kód oboru RIV: BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Impakt faktor: 1.822, rok: 2009

    Amorphous and crystalline films were prepared by magnetron sputtering of hot-pressed B4C target. Hardness, elastic modulus, intrinsic stress and structure were investigated in dependence on the substrate bias and deposition temperature. Electron diffraction and Raman spectroscopy show amorphous structure for all the films deposited at temperatures below 900 °C. Crystalline B4C phase appears at T > 900 °C. The hardness and elastic modulus of the films deposited on unheated substrates decrease with increasing negative substrate bias. These variations correlate well with those observed for compressive stress, argon content in films and intensity of Raman spectra.

    Amorfní a krystalické vrstvy připraveny magnetronovým rozprašováním slisovaného terče B4C. Tvrdost, elastický modul, intrinsický stres a struktura bytly zkoumány v závislosti na předpětí substrátu a deposiční teplotě. Elektronová difrakce a Ramanova spektra ukazují, že vrtsvy deponované při teplotách pod 900 °C jsou amorfní. Krystalický B4C se objevuje pro T > 900 °C. Tvrdost a elastický modul vrstaev deponovaných na nevyhřáté podložky klesá s růstem záporného předpětí na podložce. Tyto změny dobře korelují s kompresivním pnutím, obsahem argonu a intenzitou Ramanových spekter.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0170603