Počet záznamů: 1

Atomic force microscopy and atomic force acoustic microscopy characterization of photo-induced changes in some Ge-As-S amorphous films

  1. 1.
    0320025 - UMCH-V 2009 RIV NL eng J - Článek v odborném periodiku
    Knotek, P. - Tichý, Ladislav
    Atomic force microscopy and atomic force acoustic microscopy characterization of photo-induced changes in some Ge-As-S amorphous films.
    [Charakterizace fotoindukovaných změn v amorfních filmech Ge-As-S pomocí AFM a AFAM.]
    Thin Solid Films. Roč. 517, č. 5 (2009), s. 1837-1840 ISSN 0040-6090
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z40500505
    Klíčová slova: amorphous materials
    Kód oboru RIV: CA - Anorganická chemie
    Impakt faktor: 1.727, rok: 2009

    Amorphous Ge27As13S60, Ge14As27S59 and Ge16As26S58 thin films were prepared by thermal evaporation. Well annealed films were photodarkened by the photons with energy little exceeding the band gap energy. Using Atomic Force Microscopy we observed significant photoexpansion of studied films. Atomic Force Acoustic Microscopy revealed domains like structure of the surface and near surface parts of the samples which one was found to be more disintegrated after illumination.

    Amorfní Ge27As13S60, Ge14As27S59 a Ge16As26S58 tenké filmy byly připraveny napařováním. Ztemperované filmy byly ztmaveny fotony s energií mírně přesahující Eg. Pomocí AFM byla pozorována výrazná fotoexpanze studovaných filmů. Pomocí AFAM se získal přehled o doménové struktuře povrchu a pod-povrchových částí vzorků, kde se dokázalo, že osvícením dochází k jejich desintegraci.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0169011