Počet záznamů: 1

From Shelled Ge Nanowires to SiC Nanotubes

  1. 1.
    0317786 - UCHP-M 2009 RIV GB eng J - Článek v odborném periodiku
    Dřínek, Vladislav - Šubrt, Jan - Klementová, Mariana - Rieder, M. - Fajgar, Radek
    From Shelled Ge Nanowires to SiC Nanotubes.
    [Od zabalených Ge nanodrátů k SiC nanotrubkám.]
    Nanotechnology. Roč. 20, č. 3 (2009),035606 ISSN 0957-4484
    Grant CEP: GA AV ČR IAA400720616
    Výzkumný záměr: CEZ:AV0Z40720504; CEZ:AV0Z40320502
    Klíčová slova: chemical vapor deposition * germanium nanowires * nanotubes
    Kód oboru RIV: CF - Fyzikální chemie a teoretická chemie
    Impakt faktor: 3.137, rok: 2009

    Shelled germanium nanowires up to 100 nm in diameter and several micrometers in length were prepared by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) of tris(trimethylsilyl)germane (SiMe3)3GeH. Vapors of the precursor were deposited on tantalum substrates in an oven at 365 °C. Subsequently, the products were annealed at 700 °C in vacuum. The wires consist of a crystalline Ge core surrounded by a two-layer jacket. The presence of hexagonal Ge in the core was documented in some of the nanowires. The inner jacket is formed by amorphous germanium, the outer part by an Si/C material. By annealing at 900 °C, germanium in the core is expelled and nanotubes formed by the Si/C material remain. The samples were studied by SEM, HRTEM, EDX, FTIR and Raman spectroscopy, and the XRD technique.

    Zabalené Ge nanodráty o průměru až 100 nm a v délce několika mikronů byly připraveny chemickou depozicí z plynné fáze za nízkého tlaku z prekursoru tris(trimethylsilyl)german (SiMe3)3GeH. Páry prekursoru byly deponovány na tantalových substrátech v peci za teploty 365 °C. Následně byl depozit ohřát ve vakuu na 700 °C. Dráty se sestávají z krystalického Ge jádra, které je obaleno dvouvrstvým pláštěm. V některých nanodrátech byla zjištěna přítomnost hexagonálního Ge. Vnitřní plášť je tvořen amorfním germaniem, vnější plášť Si/C materiálem. Při ohřevu na 900 °C je germanium vypařeno a vznikají nanotrubičky z Si/C materiálu. Vzorky byly studovány pomocí SEM, HRTEM, EDX, FTIR a Ramanovy spektroskopie a XRD techniky.
    Trvalý link: http://hdl.handle.net/11104/0167345