Self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by different strain reducing layers exhibiting strong photo- and electroluminescence in 1.3 and 1.55 μm bands

Hazdra P



Název
Self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by different strain reducing layers exhibiting strong photo- and electroluminescence in 1.3 and 1.55 μm bands
Autor
lupa Hazdra P.
Spoluautoři
lupa Oswald Jiří FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Komarnitskyy V.
lupa Kuldová Karla FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Hospodková Alice FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Hulicius Eduard FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Pangrác Jiří FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Zdroj.dok.
lupa Journal of Nanoscience and Nanotechnology. Roč. 11, č. 8 (2011), s. 6804-6809
Vyd.údaje
6 s.
Druh dok.
J
Jazyk dok.
eng
Země vyd.
US
Klíč.slova
quantum dots * MOVPE * InAs * GaAs * photoluminescence * electroluminescence
Databáze
zj - Článek v odborném časopise
Trvalý link
http://hdl.handle.net/11104/0202422