GaAsSb strain reducing layers for InAs/GaAs quantum dot long wavelength and high efficiency emission

Hospodková Alice



Název
GaAsSb strain reducing layers for InAs/GaAs quantum dot long wavelength and high efficiency emission
Autor
lupa Hospodková Alice FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Spoluautoři
lupa Pangrác Jiří FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Oswald Jiří FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Kuldová Karla FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Vyskočil Jan FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Hulicius Eduard FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Hazdra P.
Zdroj.dok.
lupa EWMOVPE XIV. S. 105-108. - Wroclaw : Printing house of Wroclaw University of Technology, 2011 / Prazmowska J.
Vyd.údaje
4 s.
Druh dok.
C
Jazyk dok.
eng
Země vyd.
PL
Klíč.slova
quantum dot * InAs * GaAs * GaAsSb strain reducing layer * photoluminescence
Databáze
zc - Konferenční příspěvek (zahraniční konference)
Trvalý link
http://hdl.handle.net/11104/0006666