Development of n-on-p silicon sensors for very high radiation environments

Unno Y



Název
Development of n-on-p silicon sensors for very high radiation environments
Autor
lupa Unno Y.
Spoluautoři
lupa Affolder A.A.
lupa Allport P.P.
lupa Bates R.
lupa Betancourt C.
lupa Böhm Jan FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Brown H.
lupa Buttar C.
lupa Carter J. R.
lupa Casse G.
lupa Mikeštíková Marcela FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Zdroj.dok.
lupa Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A. Roč. 636, č. 1 (2011), "S24"-"S30". - : Elsevier
Vyd.údaje
7 s.
Druh dok.
J
Jazyk dok.
eng
Země vyd.
NL
Klíč.slova
silicon * micro-strip * ATLAS * SLHC * sensor * radiation damage * p-type * n-in-p
URL
http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2010.04.080
Databáze
zj - Článek v odborném časopise
URL
http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2010.04.080
Trvalý link
http://hdl.handle.net/11104/0198717