InAs/GaAs quantum dot capping in kinetically limited MOVPE growth regime

Hospodková Alice



Název
InAs/GaAs quantum dot capping in kinetically limited MOVPE growth regime
Autor
lupa Hospodková Alice FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Spoluautoři
lupa Pangrác Jiří FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Vyskočil Jan FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Oswald Jiří FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Vetushka Aliaksi FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Caha O.
lupa Hazdra P.
lupa Kuldová Karla FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Hulicius Eduard FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Zdroj.dok.
lupa Journal of Crystal Growth. Roč. 317, č. 1 (2011), s. 39-42. - : Elsevier
Vyd.údaje
4 s.
Poznámky
CEZ:MSM6840770014
Druh dok.
J
Jazyk dok.
eng
Země vyd.
NL
Klíč.slova
low dimensional structures * photoluminescence * low-pressure MOVPE * InAs/GaAs quantum dots * semiconducting III–V materials
Databáze
zj - Článek v odborném časopise
Trvalý link
http://hdl.handle.net/11104/0197302