The Influence of Strong Electron and Hole Doping on the Raman Intensity of Chemical Vapor-Deposition Graphene

Kalbáč Martin



Název
The Influence of Strong Electron and Hole Doping on the Raman Intensity of Chemical Vapor-Deposition Graphene
Autor
lupa Kalbáč Martin UFCH-W - Ústav fyzikální chemie Jaroslava Heyrovského AV ČR, v. v. i.
Spoluautoři
lupa Reina-Cecco A.
lupa Farhat H.
lupa Kong J.
lupa Kavan Ladislav UFCH-W - Ústav fyzikální chemie Jaroslava Heyrovského AV ČR, v. v. i.
lupa Dresselhaus M. S.
Zdroj.dok.
lupa ACS Nano. Roč. 4, č. 10 (2010), s. 6055-6063
Vyd.údaje
9 s.
Druh dok.
J
Jazyk dok.
eng
Země vyd.
US
Klíč.slova
graphene * Raman spectroscopy * spectroelectrochemistry
Databáze
zj - Článek v odborném časopise
Trvalý link
http://hdl.handle.net/11104/0192407