Anomalous charge current transport in semi-insulatingGaAs with a new contact metallization: Influence of 2DEG formed at the M-S interface

Dubecký F



Název
Anomalous charge current transport in semi-insulatingGaAs with a new contact metallization: Influence of 2DEG formed at the M-S interface
Autor
lupa Dubecký F.
Spoluautoři
lupa Hubík Pavel FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Gombia E.
lupa Zat'ko B.
lupa Kindl Dobroslav FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Dubecký M.
lupa Boháček P.
Zdroj.dok.
lupa SURFINT-SREN II. S. 19-22. - Bratislava : Comenius University, 2010 / Brunner R.
Vyd.údaje
4 s.
Druh dok.
C
Jazyk dok.
eng
Země vyd.
SK
Klíč.slova
SI-GaAs * X-ray detectors * charge transport * metallization
Databáze
zc - Konferenční příspěvek (zahraniční konference)
Trvalý link
http://hdl.handle.net/11104/0189588