Photocurrent spectroscopy of semi-insulating GaAs with a new contact metallization: indication of 2DEG formed at the M-S interface

Dubecký F



Název
Photocurrent spectroscopy of semi-insulating GaAs with a new contact metallization: indication of 2DEG formed at the M-S interface
Autor
lupa Dubecký F.
Spoluautoři
lupa Kováč J.
lupa Mudroň J.
lupa Hubík Pavel FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Dubecký M.
lupa Gombia E.
Zdroj.dok.
lupa APCOM 2010. S. 29-32. - Bratislava : Slovak University of Technology, 2010 / Vajda J. ; Weis M.
Vyd.údaje
4 s.
Druh dok.
C
Jazyk dok.
eng
Země vyd.
SK
Klíč.slova
SI-GaAs * detectors * photocurrent * blocking electrodes
Databáze
zc - Konferenční příspěvek (zahraniční konference)
Trvalý link
http://hdl.handle.net/11104/0189585