Raman scattering in silicon disordered by gold ion implantation

Lavrentiev Vasyl



Název
Raman scattering in silicon disordered by gold ion implantation
Autor
lupa Lavrentiev Vasyl UJF-V - Ústav jaderné fyziky AV ČR, v. v. i.
Spoluautoři
lupa Vacík Jiří UJF-V - Ústav jaderné fyziky AV ČR, v. v. i.
lupa Vorlíček Vladimír FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Voseček Václav UJF-V - Ústav jaderné fyziky AV ČR, v. v. i.
Zdroj.dok.
lupa Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics. Roč. 247, č. 8 (2010), s. 2022-2026
Vyd.údaje
5 s.
Druh dok.
J
Jazyk dok.
eng
Země vyd.
DE
Klíč.slova
ion implantation * Raman spectra * Rutherford backscattering spectroscopy
Databáze
zj - Článek v odborném časopise
Trvalý link
http://hdl.handle.net/11104/0187786