InGaAs and GaAsSb strain reducing layers covering InAs/GaAs quantum dots

Hospodková Alice



Název
InGaAs and GaAsSb strain reducing layers covering InAs/GaAs quantum dots
Autor
lupa Hospodková Alice FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Spoluautoři
lupa Hulicius Eduard FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Pangrác Jiří FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Oswald Jiří FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Vyskočil Jan FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Kuldová Karla FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Šimeček Tomislav FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Hazdra P.
lupa Caha O.
Zdroj.dok.
lupa Journal of Crystal Growth. Roč. 312, č. 8 (2010), 1383-1387. - : Elsevier
Vyd.údaje
5 s.
Druh dok.
J
Jazyk dok.
eng
Země vyd.
NL
Klíč.slova
low dimensional structures * photoluminescence * low-pressure MOVPE * InAs/GaAs quantum dots * semiconducting III/V materials
Databáze
zj - Článek v odborném časopise
Trvalý link
http://hdl.handle.net/11104/0185175