Electroluminescence in p-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/p(n)-GaSb type II heterostructures with deep quantum wells at the interface

Mikhailova M. P



Název
Electroluminescence in p-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/p(n)-GaSb type II heterostructures with deep quantum wells at the interface
Autor
lupa Mikhailova M. P.
Spoluautoři
lupa Ivanov E.V.
lupa Moiseev K. D.
lupa Yakovlev Yu. P.
lupa Hulicius Eduard FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Hospodková Alice FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Pangrác Jiří FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Šimeček Tomislav FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Zdroj.dok.
lupa Semiconductors. Roč. 44, č. 1 (2010), 66-71
Vyd.údaje
6 s.
Druh dok.
J
Jazyk dok.
eng
Země vyd.
RU
Klíč.slova
electroluninescence * MOVPE * GaSb * InAs * quantum well
Databáze
zj - Článek v odborném časopise
Trvalý link
http://hdl.handle.net/11104/0184942