Surface processes during growth of InAs/GaAs quantum dot structures monitored by reflectance anisotropy spectroscopy

Hospodková Alice



Název
Surface processes during growth of InAs/GaAs quantum dot structures monitored by reflectance anisotropy spectroscopy
Autor
lupa Hospodková Alice FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Spoluautoři
lupa Vyskočil Jan FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Pangrác Jiří FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Oswald Jiří FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Hulicius Eduard FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Kuldová Karla FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Zdroj.dok.
lupa Surface Science. Roč. 604, 3-4 (2010), 318-321. - : Elsevier
Vyd.údaje
4 s.
Druh dok.
J
Jazyk dok.
eng
Země vyd.
NL
Klíč.slova
low-pressure Metal–Organic Vapor Phase * InAs/GaAs quantum dots * reflectance anisotropy spectroscopy Surface reconstruction * surface reconstruction
Databáze
zj - Článek v odborném časopise
Trvalý link
http://hdl.handle.net/11104/0184913