LPE growth of InP layers from rare-earth treated melts for radiation detector structures

Grym Jan



Název
LPE growth of InP layers from rare-earth treated melts for radiation detector structures
Autor
lupa Grym Jan URE-Y - Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i.
Spoluautoři
lupa Procházková Olga URE-Y - Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i.
lupa Zavadil Jiří URE-Y - Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i.
lupa Žďánský Karel URE-Y - Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i.
Zdroj.dok.
lupa Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials. Roč. 165, 1-2 (2009), s. 94-97. - : Elsevier
Vyd.údaje
4 s.
Druh dok.
J
Jazyk dok.
eng
Země vyd.
CH
Klíč.slova
semiconductor technology * rare earth elements * III-V semiconductors
Databáze
zj - Článek v odborném časopise
Trvalý link
http://hdl.handle.net/11104/0184438