Detectors of Gamma Rays and Alpha Particles Based on Ta-Doped InP Converted to the Semi-Insulating State by Annealing

Žďánský Karel



Název
Detectors of Gamma Rays and Alpha Particles Based on Ta-Doped InP Converted to the Semi-Insulating State by Annealing
Autor
lupa Žďánský Karel URE-Y - Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i.
Spoluautoři
lupa Gorodynskyy Vladyslav URE-Y - Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i.
lupa Pekárek Ladislav FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Zdroj.dok.
lupa IEEE Transactions on Nuclear Science. Roč. 56, č. 5 (2009), s. 2997-3001
Vyd.údaje
5 s.
Druh dok.
J
Jazyk dok.
eng
Země vyd.
US
Klíč.slova
radiation detection * semiconductor doping * crystal growth
Databáze
zj - Článek v odborném časopise
Trvalý link
http://hdl.handle.net/11104/0184434