Intra-atomic charge re-organization at the Pb Si interface: bonding mechanism at low cover

Švec Martin



Název
Intra-atomic charge re-organization at the Pb Si interface: bonding mechanism at low cover
Překlad názvu
Intra-atomární reorganizace náboje na Pb-Si rozhraní: vazebný mechanismus při nízkém pokrytí
Autor
lupa Švec Martin FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Spoluautoři
lupa Dudr Viktor FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Vondráček Martin FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Jelínek Pavel FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Mutombo Pingo FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Cháb Vladimír FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Šutara F.
lupa Matolín V.
lupa Prince K. C.
Zdroj.dok.
lupa Surface Science. Roč. 603, č. 18 (2009), s. 2861-2869. - : Elsevier
Vyd.údaje
9 s.
Druh dok.
J
Jazyk dok.
eng
Země vyd.
NL
Klíč.slova
density functional calculations * green´s functional methods * synchrotron radiation photoelectron spectroscopy x-ray scattering * lead * silicon
Databáze
zj - Článek v odborném časopise
Trvalý link
http://hdl.handle.net/11104/0180134