Influence of capping layer thickness on electronic states in self assembled MOVPE grown InAs quantum dots in GaAs

Hazdra P



Název
Influence of capping layer thickness on electronic states in self assembled MOVPE grown InAs quantum dots in GaAs
Překlad názvu
Vliv tloušťky krycí vrstvy na elektronové stavy v samouspořádaných InAs kvantových tečkách na GaAs připravených metodou epitaxe z organokovových sloučenin
Autor
lupa Hazdra P.
Spoluautoři
lupa Oswald Jiří FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Komarnitskyy V.
lupa Kuldová Karla FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Hospodková Alice FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Hulicius Eduard FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Pangrác Jiří FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Zdroj.dok.
lupa Superlattices and Microstructures. Roč. 46, 1-2 (2009), 324-327. - : Elsevier
Vyd.údaje
4 s.
Druh dok.
J
Jazyk dok.
eng
Země vyd.
GB
Klíč.slova
quantum dots * metal-organic vapor phase epitaxy * indium arsenide * gallium arsenide * photoluminescence * AFM
Databáze
zj - Článek v odborném časopise
Trvalý link
http://hdl.handle.net/11104/0176305