High photocarrier mobility in ultrafast ion-irradiated In.sub.0.53./sub.Ga.sub.0.47./sub.As

Delagnes J.C



Název
High photocarrier mobility in ultrafast ion-irradiated In0.53Ga0.47As
Překlad názvu
Vysoká pohyblivost fotoexcitovaných nositelů náboje v In0.53Ga0.47As ozářeném ionty
Autor
lupa Delagnes J.C.
Spoluautoři
lupa Mounaix P.
lupa Němec Hynek FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Fekete Ladislav FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Kadlec Filip FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Kužel Petr FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Martin M.
lupa Mangeney J.
Zdroj.dok.
lupa Journal of Physics D-Applied Physics. Roč. 42, č. 19 (2009), 195103/1-195103/6
Vyd.údaje
6 s.
Druh dok.
J
Jazyk dok.
eng
Země vyd.
GB
Klíč.slova
InGaAs * photocarrier mobility * ultrafast photoconductivity terahertz * ion irradiation * terahertz * ion irradiation
Databáze
zj - Článek v odborném časopise
Trvalý link
http://hdl.handle.net/11104/0176096