Deep defects in GaN/AlGaN/SiC hererostructures

Kindl Dobroslav



Název
Deep defects in GaN/AlGaN/SiC hererostructures
Překlad názvu
Hluboké defekty v heterostrukturách GaN/AlGaN/SiC
Autor
lupa Kindl Dobroslav FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Spoluautoři
lupa Hubík Pavel FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Krištofik Jozef FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Mareš Jiří J. FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Výborný Zdeněk FZU-D - Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
lupa Leys M.R.
lupa Boeykens S.
Zdroj.dok.
lupa Journal of Applied Physics. Roč. 105, č. 9 (2009), 093706/1-093706/8
Vyd.údaje
8 s.
Druh dok.
J
Jazyk dok.
eng
Země vyd.
US
Klíč.slova
nitrides * silicon carbide * deep levels * DLTS
Databáze
zj - Článek v odborném časopise
Trvalý link
http://hdl.handle.net/11104/0174934