Search results
- 1.0429421 - FZÚ 2015 RIV cze P - Patent Document
Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří
GaAsSb vrstva s gradovaným složením redukující pnutí v InAs/GaAs kvantových tečkách.
[Gallium arsenide antimonite layer with graded composition for reducing strain in indium arsenide/gallium arsenide quantum dots.]
2013. Owner: Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. Date of the patent acceptance: 17.04.2013. Patent Number: 303855
Institutional support: RVO:68378271
Keywords : quantum dots * InAs * GaAs * GaAsSb * strain reducing layer
Subject RIV: BH - Optics, Masers, Lasers
http://isdv.upv.cz/portal/pls/portal/portlets.pts.det?xprim=1715180&lan=cs
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0234536