Search results
- 1.0566394 - ÚPT 2023 RIV CZ cze L - Prototype, f. module
Sháněl, O. - Schneider, M. - Řiháček, Tomáš - Radlička, Tomáš
Si3Nx fázová destička pokrytá vodivou vrstvou.
[Si3Nx phase plates covered by conductive layer.]
Internal code: APL-2022-15 ; 2022
Technical parameters: Křemíkový čip nesoucí tenkou nitridovou membránu, která je pokrytá tenkou vodivou molybdenovou vrstvou. Otvor membrány je čtvercového tvaru o rozměru 100×100 µm. Z membrány je vytvořena fázová destička tím, že je v jejím středu udělaný otvor optimalizovaných rozměrů pomoci technologie fokusovaného iontového svazku. Tloušťka molybdenové vrstvy je optimalizovaná pro výsledný fázový posuv pi/2. Součástí funkčního vzorku je modifikovaný držák apertur, který umožňuje její umístění do zadní ohniskové roviny transmisního elektronového mikroskopu.
Economic parameters: Funkční vzorek realizovaný při řešení grantu, s předpokladem smluvního využití s vědeckým a ekonomickým přínosem i po jeho ukončení. Kontakt: Mgr. Tomáš Radlička, Ph.D.
R&D Projects: GA TA ČR(CZ) TN01000008
Institutional support: RVO:68081731
Keywords : transmission electron microscopy * phase plate * silicon nitride * thin layers
OECD category: Electrical and electronic engineering
Permanent Link: https://hdl.handle.net/11104/0337734 - 2.0550697 - ÚPT 2022 RIV CZ cze L - Prototype, f. module
Sháněl, O. - Schneider, M. - Materna Mikmeková, Eliška - Řiháček, Tomáš - Podstránský, Jáchym - Radlička, Tomáš
Si3Nx fázová destička.
[Si3Nx phase plates.]
Internal code: APL-2021-05 ; 2021
Technical parameters: Křemíkový čip nesoucí tenkou nitridovou membránu. Rozměr (Okénko v křemíkovém čipu) membrány je čtvercového tvaru o rozměru 100×100 µm. Tloušťka membrány je optimalizovaná tak, aby v posouvala fázi procházejícího svazku o pi/2. Čip je upevněný na platinové clonce o průměru 3 mm a ve středu clonky je malý otvor o rozměrech v jednotkách µm, který byl vytvořen pomoci FIB/SEM, tak aby odpovídal velikosti nultého řádu difrakce v zadní objektivové rovině.
Economic parameters: Funkční vzorek realizovaný při řešení grantu, s předpokladem smluvního využití s vědeckým a ekonomickým přínosem i po jeho ukončení. Kontakt: Mgr. Tomáš Radlička, Ph.D., radlicka@isibrno.cz.
R&D Projects: GA TA ČR(CZ) TN01000008
Institutional support: RVO:68081731
Keywords : transmission electron microscopy * phase plate * silicon nitride * thin layers
OECD category: Electrical and electronic engineering
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0326001 - 3.0536583 - ÚPT 2021 RIV CZ cze L - Prototype, f. module
Krátký, Stanislav - Fořt, Tomáš - Matějka, Milan - Materna Mikmeková, Eliška - Radlička, Tomáš - Řiháček, Tomáš - Sháněl, O. - Schneider, M. - Mareček, D.
Fázová destička pro použití v transmisní elektronové mikroskopii.
[Phase plate for transmission electron microscopy.]
Internal code: APL-2020-07 ; 2020
Technical parameters: Křemíkový čip (tloušťka 200 µm) nesoucí tenkou nitridovou membránu (tloušťka ⁓70 nm). Otvor membrány je čtvercového tvaru o rozměru 100×100 µm. Čip je upevněný na platinové clonce o průměru 3 mm. Celý vzorek je pokoven tenkou vrstvou molybdenu (⁓3 nm).
Economic parameters: Funkční vzorek realizovaný při řešení grantu, s předpokladem smluvního využití s vědeckým a ekonomickým přínosem i po jeho ukončení. Kontakt: Ing. Stanislav Krátký, kratky@isibrno.cz
R&D Projects: GA TA ČR(CZ) TN01000008
Institutional support: RVO:68081731
Keywords : transmission electron microscopy * phase plate * silicon nitride * thin layers * e-beam lithography
OECD category: Electrical and electronic engineering
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0314347