Search results

  1. 1.
    0577701 - FZÚ 2024 RIV NL eng J - Journal Article
    Zakutanská, K. - Miakota, D. - Lacková, V. - Jeng, S.-C. - Weglowska, D. - Agresti, F. - Jarošová, Markéta - Kopčanský, P. - Tomašovičová, N.
    Effect of temperature on memory effect in nematic phase of liquid crystal and their composites with aerosil and geothite nanoparticles.
    Journal of Molecular Liquids. Roč. 391, Dec (2023), č. článku 123357. ISSN 0167-7322. E-ISSN 1873-3166
    R&D Projects: GA MŠMT(CZ) EF16_019/0000760
    Grant - others:OP VVV - SOLID21(XE) CZ.02.1.01/0.0/0.0/16_019/0000760
    Institutional support: RVO:68378271
    Keywords : liquid crystals * aerosil nanoparticles * magnetic nanoparticles * non-volatile memory
    OECD category: Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    Impact factor: 6, year: 2022
    Method of publishing: Open access
    Permanent Link: https://hdl.handle.net/11104/0346823
    FileDownloadSizeCommentaryVersionAccess
    0577701.pdf01.5 MBCC LicencePublisher’s postprintopen-access
     
     
  2. 2.
    0506221 - ÚMCH 2020 CZ eng A - Abstract
    Panthi, Yadu Ram - Pfleger, Jiří - Paruzel, Bartosz
    Resistive random access memory based on conjugated polymers molecularly doped with organic acceptors.
    Career in Polymers XI, Book of Abstracts. Prague: Institute of Macromolecular Chemistry, Czech Academy of Sciences, 2019. L-11. ISBN 978-80-85009-94-1.
    [Workshop “Career in Polymers XI”. 28.06.2019-29.06.2019, Prague]
    R&D Projects: GA ČR(CZ) GA17-03984S; GA TA ČR(CZ) TE01020022
    Institutional support: RVO:61389013
    Keywords : non-volatile memory * conjugated polymers * organic acceptors
    OECD category: Polymer science
    Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0297538
     
     
  3. 3.
    0438565 - ÚTIA 2015 RIV CZ eng L - Prototype, f. module
    Kadlec, Jiří
    UTIA EdkDSP Demonstrator in Xilinx 3S700AN FPGA with Embedded FLASH and NV RAM.
    Internal code: Utia_EdkDSP_145_S3AN ; 2014
    Technical parameters: Vnitřní paměť obvodu eFLASH 8 Mbit; spotřeba obvodu 240 mA při napětí 1,2 V; výkon 92 MFLOP pro LMS filter s 250 koeficienty. Ethernet 10/100 Mb, grafika XGA 1024x768p70 Hz, TFTP file server, HTTP server, sada demo příkladů v SW.
    Economic parameters: Obvod s vestavěnou pamětí eFLASH dovoluje inicializaci logiky obvodu a inicializaci NV RAM po zapnutí. Demonstrátor na tomto obvodu ověřuje funkce akcelerátorů výpočtu v plovoucí řádové čárce navržených v prostředí ISE 14.5 na prototypové desce 3S700AN.
    R&D Projects: GA MŠMT(CZ) 7H14006
    Keywords : embedded eFLASH * NV RAM non-volatile memory * programmable device
    Subject RIV: JC - Computer Hardware ; Software
    http://sp.utia.cz/index.php?ids=results&id=Utia_EdkDSP_145_S3AN
    Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0242026
     
     


  This site uses cookies to make them easier to browse. Learn more about how we use cookies.