0536583 - ÚPT 2021 RIV CZ cze L - Prototype, f. module
Krátký, Stanislav - Fořt, Tomáš - Matějka, Milan - Materna Mikmeková, Eliška - Radlička, Tomáš - Řiháček, Tomáš - Sháněl, O. - Schneider, M. - Mareček, D.
Fázová destička pro použití v transmisní elektronové mikroskopii.
[Phase plate for transmission electron microscopy.]
Internal code: APL-2020-07 ; 2020
Technical parameters: Křemíkový čip (tloušťka 200 µm) nesoucí tenkou nitridovou membránu (tloušťka ⁓70 nm). Otvor membrány je čtvercového tvaru o rozměru 100×100 µm. Čip je upevněný na platinové clonce o průměru 3 mm. Celý vzorek je pokoven tenkou vrstvou molybdenu (⁓3 nm).
Economic parameters: Funkční vzorek realizovaný při řešení grantu, s předpokladem smluvního využití s vědeckým a ekonomickým přínosem i po jeho ukončení. Kontakt: Ing. Stanislav Krátký, kratky@isibrno.cz
R&D Projects: GA TA ČR(CZ) TN01000008
Institutional support: RVO:68081731
Keywords : transmission electron microscopy * phase plate * silicon nitride * thin layers * e-beam lithography
OECD category: Electrical and electronic engineering
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0314347
Krátký, Stanislav - Fořt, Tomáš - Matějka, Milan - Materna Mikmeková, Eliška - Radlička, Tomáš - Řiháček, Tomáš - Sháněl, O. - Schneider, M. - Mareček, D.
Fázová destička pro použití v transmisní elektronové mikroskopii.
[Phase plate for transmission electron microscopy.]
Internal code: APL-2020-07 ; 2020
Technical parameters: Křemíkový čip (tloušťka 200 µm) nesoucí tenkou nitridovou membránu (tloušťka ⁓70 nm). Otvor membrány je čtvercového tvaru o rozměru 100×100 µm. Čip je upevněný na platinové clonce o průměru 3 mm. Celý vzorek je pokoven tenkou vrstvou molybdenu (⁓3 nm).
Economic parameters: Funkční vzorek realizovaný při řešení grantu, s předpokladem smluvního využití s vědeckým a ekonomickým přínosem i po jeho ukončení. Kontakt: Ing. Stanislav Krátký, kratky@isibrno.cz
R&D Projects: GA TA ČR(CZ) TN01000008
Institutional support: RVO:68081731
Keywords : transmission electron microscopy * phase plate * silicon nitride * thin layers * e-beam lithography
OECD category: Electrical and electronic engineering
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0314347