Number of the records: 1

Příprava funkční heterostruktury InGaN/GaN na safírovém substrátu

SYSNO	0540512
Title	Příprava funkční heterostruktury InGaN/GaN na safírovém substrátu
Title	Preparation of functional InGaN/GaN heterostructure on sapphire substrate
Author(s)	Hubáček, Tomáš (FZU-D)_ORCID Hospodková, Alice (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI}
Issue data	2020
Subspecies	Ověřená technologie
Int.Code	InGaN1
Result owner	Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i
Technical parameters	Technologii lze využít pro výrobu rychlých scintilačních stínítek např. do elektronových mikroskopů. Dosvit nejrychlejší složky pod 3 ns.
Economic parameters	Na využití této technologie byl již předem podán patent 306026 a je uzavřena smlouva mezi firmou Crytur a FZU o využití výsledku.
Internal identification code of the product assigned by its creator, Regulation no.,	InGaN1
Document Type	Poloprovoz, ověřená technol., odrůda, plemeno
Grant	TH02010580 GA TA ČR - Technology Agency of the Czech Republic (TA ČR)
	LO1603 GA MŠMT - Ministry of Education, Youth and Sports (MEYS), CZ - Czech Republic
Institutional support	FZU-D - RVO:68378271
Language	cze
Country	CZ
Keywords	GaN * InGaN * heterostructure * scintillation detection * MOVPE
Permanent Link	http://hdl.handle.net/11104/0318142

Number of the records: 1