Number of the records: 1  

Lineární diagnostický systém plazmové depozice pro velkoplošné procesy

  1. 1.
    SYSNO0390204
    TitleLineární diagnostický systém plazmové depozice pro velkoplošné procesy
    TitleLinear diagnostic system of plasma deposition for large scale processes
    Author(s) Hubička, Zdeněk (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Čada, Martin (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Kšírová, Petra (FZU-D) RID, ORCID
    Šmíd, Jiří (FZU-D)
    Olejníček, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
    Kment, Štěpán (FZU-D) RID, ORCID
    Issue data2012
    SubspeciesFunctional Specimen
    Int.CodeFS3/FZÚ/2012
    Technical parametersTyp termočlánku kalorimetrické sondy-K. Základní frekvence QCM senzoru 5000,00 kHz. Frekvenční rozsah pulzního napětí pro měření iontového toku 50-400 kHz. Frekvence RF zdroje harmonického napětí pro měření iontového toku 1 MHz Funkční vzorek byl vytvořen v rámci řešení projektu TAČR TA01011740. Hlavním řešitelem projektu je firma SVCS (která má smlouvu s TAČR c. 20110108) a FZU je spoluřešitelem. Mezi FZU a SVCS je podepsána Smlouva o spolupráci, upravující podmínky spolupráce při přípravě a řešení Projektu a využití výsledků výzkumu, která je nutnou součástí řešení projektu. Odpovědným řešitelem za FZÚ je Dr. Kromka. Cislo dokumentace (i pro TACR) i inventarni cislo je totozne s internim kodem: FS3/FZÚ/2012
    Economic parametersV rámci projektu TAČR byl vytvořen měřící diagnostický systém pro velkoplošné depoziční techniky. Tento systém bude součástí realizovaného vícetryskového depozičního MW systému.
    Owner NameFyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    Internal identification code of the product assigned by its creator, Regulation no.,Smlouva o spolupráci mezi SVCS Process Inovation s.r.o. a FZU AV ČR ze dne 14.2.2011
    Document TypePrototyp, metodika, f.vzorek, aut.software, apl.výzkum-normy, u.vzor
    Grant TA01011740 GA TA ČR - Technology Agency of the Czech Republic (TA ČR)
    CEZAV0Z10100522 - FZU-D (2005-2011)
    Languagecze
    CountryCZ
    Keywords heating flux * plasma * ion flux * deposition * thin films * deposition rate
    Permanent Linkhttp://hdl.handle.net/11104/0219081
     
Number of the records: 1  

  This site uses cookies to make them easier to browse. Learn more about how we use cookies.