Number of the records: 1

Influence of capping layer thickness on electronic states in self assembled MOVPE grown InAs quantum dots in GaAs

SYSNO	0330532
Title	Influence of capping layer thickness on electronic states in self assembled MOVPE grown InAs quantum dots in GaAs
Title	Vliv tloušťky krycí vrstvy na elektronové stavy v samouspořádaných InAs kvantových tečkách na GaAs připravených metodou epitaxe z organokovových sloučenin
Author(s)	Hazdra, P. (CZ) Oswald, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID} Komarnitskyy, V. (CZ) Kuldová, Karla (FZU-D)_{RID, ORCID} Hospodková, Alice (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Hulicius, Eduard (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Pangrác, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI}
Source Title	Superlattices and Microstructures. Roč. 46, 1-2 (2009), 324-327. - : Elsevier
Document Type	Článek v odborném periodiku
Grant	GA202/06/0718 GA ČR - Czech Science Foundation (CSF)
	IAA100100719 GA AV ČR - Academy of Sciences of the Czech Republic (AV ČR)
CEZ	AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011)
Language	eng
Country	GB
Keywords	quantum dots * metal-organic vapor phase epitaxy * indium arsenide * gallium arsenide * photoluminescence * AFM
Permanent Link	http://hdl.handle.net/11104/0176305

Number of the records: 1