Number of the records: 1  

Properties of Er and Yb Doped Gallium nitride layers fabricated by magnetron sputtering

  1. 1.
    SYSNO0098329
    TitleProperties of Er and Yb Doped Gallium nitride layers fabricated by magnetron sputtering
    TitleVlastnosti GaN vrstev připravených magnetronovým naprašováním a dotovaných ionty Er a Yb
    Author(s) Prajzler, V. (CZ)
    Burian, Z. (CZ)
    Hüttel, I. (CS)
    Špirková, J. (CZ)
    Hamáček, J. (CZ)
    Oswald, J. (CZ)
    Zavadil, Jiří (URE-Y) RID
    Peřina, Vratislav (UJF-V) RID
    Source Title Acta Polytechnica. Roč. 46, č. 6 (2006), s. 49-55. - : České vysoké učení technické
    Document TypeČlánek v odborném periodiku
    Grant GA102/06/0424 GA ČR - Czech Science Foundation (CSF), CZ - Czech Republic
    CEZAV0Z20670512 - URE-Y (2005-2011)
    AV0Z10480505 - UJF-V (2005-2011)
    Languageeng
    CountryCZ
    Keywords fluorescence * gallium * rare earth compounds
    Permanent Linkhttp://hdl.handle.net/11104/0157265
     
Number of the records: 1  

  This site uses cookies to make them easier to browse. Learn more about how we use cookies.