Number of the records: 1  

Způsob řízení rychlosti depozice tenkých vrstev ve vakuovém vícetryskovém plazmovém systému a zařízení k provádění tohoto způsobu

  1. 1.
    SYSNO ASEP0481686
    Document TypeP - Patent
    R&D Document TypePatent or other outcome protected by special legislation
    TitleZpůsob řízení rychlosti depozice tenkých vrstev ve vakuovém vícetryskovém plazmovém systému a zařízení k provádění tohoto způsobu
    TitleA method of controlling the rate of deposition of thin layers in a vacuum multi-nozzle plasma system and a device for implementing this method
    Author(s) Olejníček, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
    Šmíd, Jiří (FZU-D)
    Hubička, Zdeněk (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Adámek, Petr (FZU-D) RID, ORCID
    Čada, Martin (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Kment, Štěpán (FZU-D) RID, ORCID
    Year of issue2017
    Possible third party use of the resultA - Pro využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence
    Royalty requestedA - Poskytovatel licence požaduje licenční poplatek
    Patent no. or utility model no. or industrial design no.306980
    Date of the patent acceptance13.09.2017
    Name of the patent ownerFyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    Code of the issuer nameCZ001 - Úřad průmyslového vlastnictví Prague
    Current useA - Pouze udělený (dosud nevyužívaný) patent nebo patent využívaný jeho vlastníkem
    Languagecze - Czech
    Keywordshollow cathode ; plasma nozzle ; deposition ; thin films
    Subject RIVBL - Plasma and Gas Discharge Physics
    OECD categoryFluids and plasma physics (including surface physics)
    R&D ProjectsTF01000084 GA TA ČR - Technology Agency of the Czech Republic (TA ČR)
    Institutional supportFZU-D - RVO:68378271
    AnnotationZpůsob řízení rychlosti depozice tenkých vrstev ve vakuovém vícetryskovém plazmovém systému využívajícím plazmochemické reakce v aktivní zóně generovaného výboje a tvořeném alespoň jednou řadou plazmatických trysek (4), jejichž pracovní trubice (42) jsou zakončeny dutou katodou (44), jejíž ústí je ustaveno v blízkosti horní plochy nosné soupravy (2) s uloženým substrátem (3), kde podstata řešení spočívá v tom, že při depozici tenké vrstvy na substrát (3) je po samostatném zapálení výbojů v každé plazmové trysce (4) a při řízení jejich parametrů prostřednictvím vnějších zdrojů (6) napětí je teplota každé duté katody (44) bezkontaktně monitorována vlastním pyrometrem (8) a na základě vyhodnocení naměřených hodnot teploty a nastavených parametrů výboje je pomocí řídicí jednotky (9) regulován efektivní proud v každé z plazmatických trysek (4) tak, aby depoziční rychlosti všech dutých katod (44) plazmatických trysek (4) byly shodné. Podstatou vynálezu je rovněž zařízení k provádění způsobu řízení rychlosti depozice.
    Description in EnglishThe method of controlling the rate of deposition of thin layers in a vacuum multi-nozzle plasma system using plasmachemical reactions in the active zone of the generated discharge and constituted by at least one set of plasma nozzles (4), whose working tubes (42) are terminated by the hollow cathode (44) whose orifice is established in the vicinity of the upper surface of the support assembly (2) with the deposited substrate (3), wherein the principle of the solution lies in the fact that, during the deposition of the thin layer on the substrate (3), after the individual ignition of the discharges in each of the plasma nozzle (4) and during controlling their parameters by means of the external voltage sources (4), the temperature of each hollow cathode (44) is contactlessly monitored by its own pyrometer (8) and, based on the evaluation of the measured temperature values and the set parameters of the discharge, the effective current in each of the plasma nozzles (4) is controlled by the control unit (9), so that the deposition rates of all the hollow cathodes (44) of the plasma nozzles (4) were identical. A device for implementing the method of controlling the rate of deposition is also the essence of the invention.
    WorkplaceInstitute of Physics
    ContactKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Year of Publishing2018
    Electronic addresshttps://isdv.upv.cz/webapp/webapp.pts.det?xprim=10241583&lan=cs&s_majs=&s_puvo=&s_naze=&s_anot=
Number of the records: 1  

  This site uses cookies to make them easier to browse. Learn more about how we use cookies.