Number of the records: 1  

Optický polovodivý prvek

  1. 1.
    SYSNO ASEP0551244
    Document TypeP1 - Utility model, Industrial Design
    R&D Document TypeResults of legal proteciton (Utility Model , Industrial Design)
    RIV SubspeciesUžitný vzor
    TitleOptický polovodivý prvek
    TitleOptical semiconductor element
    Author(s) Hubička, Zdeněk (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Čada, Martin (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Kšírová, Petra (FZU-D) RID, ORCID
    Houha, R. (CZ)
    Matulová, L. (CZ)
    Number of authors5
    Year of issue2021
    Name of the patent ownerFyzikální ústav AV ČR, v. v. i - IQS group, s.r.o.
    AdressPraha
    Date of the utility model acceptance05.08.2021
    Utility model number35307
    Licence feeA - Poskytovatel licence požaduje licenční poplatek
    Current useA - Pouze udělený (dosud nevyužívaný) patent nebo patent využívaný jeho vlastníkem
    Use by another entityA - Pro využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence
    Code of the issuer nameCZ001 - Úřad průmyslového vlastnictví Prague
    Languagecze - Czech
    Keywordsoptical element ; thin film ; semiconductor ; gradient film ; reactive sputtering ; impedance spectroscopy
    Subject RIVBL - Plasma and Gas Discharge Physics
    OECD categoryOptics (including laser optics and quantum optics)
    R&D ProjectsFV20580 GA MPO - Ministry of Industry and Trade (MPO)
    Institutional supportFZU-D - RVO:68378271
    AnnotationPředmětem předkládaného řešení je poskytnutí bezpečnostního prvku produktu. Výše nastolený požadavek je vyřešený prostřednictvím optického polovodivého prvku obsahující plošně gradientní optické tenké vrstvy. Podstata řešení spočívá v tom, že tenká vrstva optického polovodivého prvku vykazuje: a) gradient chemického složení a optických vlastností ve směru alespoň jedné osy, která je rovnoběžná s povrchem tenké vrstvy b) gradient měřeného impedančního spektra ve vysokofrekvenční oblasti od 10 kHz do 10 MHz.
    Description in EnglishThe subject of the presented solution is to provide a security element of the product. The above requirement is solved by an optical semiconductor element comprising planar gradient optical thin films. The essence of the solution lies in the fact that the thin layer of the optical semiconductor element has: a) a gradient of chemical composition and optical properties in the direction of at least one axis, which is parallel to the surface of the thin layer b) gradient of the measured impedance spectrum in the high frequency range from 10 kHz to 10 MHz.
    WorkplaceInstitute of Physics
    ContactKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Year of Publishing2022
    Electronic addresshttps://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/UtilityModels/FullDocuments/FDUM0035/uv035307.pdf
Number of the records: 1  

  This site uses cookies to make them easier to browse. Learn more about how we use cookies.