Number of the records: 1  

Paměťový prvek pro uložení n-bitového kódu.

  1. 1.
    SYSNO ASEP0504382
    Document TypeP1 - Utility model, Industrial Design
    R&D Document TypeResults of legal proteciton (Utility Model , Industrial Design)
    RIV SubspeciesUžitný vzor
    TitlePaměťový prvek pro uložení n-bitového kódu.
    TitleMemory element for storing n-bit code.
    Author(s) Veselý, M. (CZ)
    Dzik, P. (CZ)
    Klusoň, Petr (UCHP-M) RID, ORCID, SAI
    Morozová, Magdalena (UCHP-M) RID, SAI
    Kubáč, L. (CZ)
    Akrman, J. (CZ)
    Year of issue2019
    Publication formPrint - P
    Name of the patent ownerÚstav chemických procesů AV ČR, v. v. i . - Centrum organické chemie s.r.o. - Vysoké učení technické v Brně
    AdressPraha - Rybitví - Brno
    Date of the utility model acceptance15.10.2019
    Utility model number33289
    Licence feeA - Poskytovatel licence požaduje licenční poplatek
    Current useA - Pouze udělený (dosud nevyužívaný) patent nebo patent využívaný jeho vlastníkem
    Use by another entityA - Pro využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence
    Code of the issuer nameCZ001 - Úřad průmyslového vlastnictví Prague
    Languagecze - Czech
    Keywordsphotocurrent ; light sensitivity ; semiconductors
    Subject RIVCI - Industrial Chemistry, Chemical Engineering
    OECD categoryChemical process engineering
    R&D ProjectsVI20162019037 GA MV - Ministry of Interior (MV)
    Institutional supportUCHP-M - RVO:67985858
    AnnotationPaměťový prvek je vytvořen ze dvou základních funkčních celků s hierarchickou strukturou. První se skládá z uniformních sférických nanočástic polovodivého metalického oxidu. Ten je dle šířky zakázaného pásu excitovatelný fotony odpovídajících vlnových délek. Jako základní parametr, tzv. kvalitativní veličina, je určována velikost a charakter generovaného fotoproudu. První funkční celek je cíleně částečně překrýván vrstvou tzv. světelné clony. Ta dle míry překrytí vyjadřuje tzv. kvantitativní veličinu, projevující se jako kalibrované tlumení původního signálu.
    Description in EnglishThe memory element is composed of two basic functional forms with a hierarchical structure. The first comprises spherical nanospheres of semiconducting metallic oxide. This layer could be energetically excited by means of photons of an appropriate wave length. The primary evaluated parameter, the qualitative one, is the magnitude and the character of the generated photocurrent. This part is then partially over-coated with a secondary layer of the light filter. The generated photocurrent is then reduced. However, it follows the calibrated pattern. In this way it brings the quantitative feature to the overall system.
    WorkplaceInstitute of Chemical Process Fundamentals
    ContactEva Jirsová, jirsova@icpf.cas.cz, Tel.: 220 390 227
    Year of Publishing2020
    Electronic addresshttps://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/UtilityModels/FullDocuments/FDUM0033/uv033289.pdf
Number of the records: 1  

  This site uses cookies to make them easier to browse. Learn more about how we use cookies.