Number of the records: 1
Měření záchytu světla pomocí Ramanovy spektroskopie v tenkých vrstvách křemíku
- 1.
SYSNO ASEP 0427287 Document Type A - Abstract R&D Document Type The record was not marked in the RIV R&D Document Type Není vybrán druh dokumentu Title Měření záchytu světla pomocí Ramanovy spektroskopie v tenkých vrstvách křemíku Author(s) Ledinský, Martin (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Ganzerová, Kristína (FZU-D) RID
Fejfar, Antonín (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Kočka, Jan (FZU-D) RID, ORCID, SAISource Title Sborník 8. české fotovoltaické konference. - Rožnov pod Radhoštěm : Czech RE Agency, o.p.s, 2013 Number of pages 1 s. Publication form Medium - C Action Česká fotovoltaická konference /8./ Event date 14.05.2013-15.05.2013 VEvent location Brno Country CZ - Czech Republic Event type CST Language cze - Czech Country CZ - Czech Republic Keywords Raman ; microcrystalline silicon, ; atomic force microscopy Subject RIV BM - Solid Matter Physics ; Magnetism R&D Projects FR-TI2/736 GA MPO - Ministry of Industry and Trade (MPO) GA13-25747S GA ČR - Czech Science Foundation (CSF) GA13-12386S GA ČR - Czech Science Foundation (CSF) LM2011026 GA MŠMT - Ministry of Education, Youth and Sports (MEYS) Institutional support FZU-D - RVO:68378271 Annotation Intenzita Ramanova pásu je přímo úměrná interakční dráze fotonu. Tedy intenzita pásu se zvýší, je-li dráha fotonu ve vrstvě prodloužena. Tento efekt lze pozorovat pouze pro fotony z blízké infračervené oblasti, proto jsme pro buzení Ramanova spektra použili laser o vlnové délce 785 nm. Zásadní výhodou je i fakt, že rozptýlený foton v sobě nese informaci, v kterém materiálu interakce proběhla. Můžeme proto selektivně měřit dráhu fotonu v amorfní/ mikrokrystalické části článku. Description in English The absolute intensity of Raman spectra excited by 785 nm laser is strongly affected by scattering in the rough substrate surface. This effect is caused by rough substrate, where photons are scattered under wide angles, then reflected in layer, resulting in extended path in absorbing material, see Figure 1. Mean photon path length in sample can be even several times increased by light trapping in the layer. As the probability of Raman interaction is directly proportional to the mean photon paths in the layer, this path extension is directly proportional to Raman intensity. Therefore, Raman spectroscopy measured at 785 nm excitation wavelength may be used to determine light trapping in µc-Si layer. Workplace Institute of Physics Contact Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Year of Publishing 2015
Number of the records: 1