Number of the records: 1  

Tenké vrstvy ZnO připravené pomocí vícetryskového SWD plazmového systému

  1. 1.
    SYSNO ASEP0427270
    Document TypeJ - Journal Article
    R&D Document TypeJournal Article
    Subsidiary JOstatní články
    TitleTenké vrstvy ZnO připravené pomocí vícetryskového SWD plazmového systému
    TitleZnO thin films prepared by multi SWD plasma jet system
    Author(s) Kohout, Michal (FZU-D) RID, ORCID
    Olejníček, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
    Šmíd, Jiří (FZU-D)
    Čada, Martin (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Kment, Š. (CZ)
    Kšírová, Petra (FZU-D) RID, ORCID
    Brunclíková, Michaela (FZU-D) RID
    Hubička, Zdeněk (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Source TitleJemná mechanika a optika. - : Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. - ISSN 0447-6441
    Roč. 59, č. 2 (2014), s. 38-42
    Number of pages5 s.
    Languagecze - Czech
    CountryCZ - Czech Republic
    KeywordsZnO ; surfatron ; thin films ; Langmuir probe ; plasma density
    Subject RIVBL - Plasma and Gas Discharge Physics
    R&D ProjectsTA01011740 GA TA ČR - Technology Agency of the Czech Republic (TA ČR)
    LH12045 GA MŠMT - Ministry of Education, Youth and Sports (MEYS)
    Institutional supportFZU-D - RVO:68378271
    AnnotationV článku je popsána vícesvazková plazmová aparatura se čtyřmi nezávislými tryskami pracujícími na principu výboje generovaného surfatronem. Tento unikátní systém byl následně optimalizován pro depozice metodou plazmochemického napařování a použit pro přípravu ZnO tenkých vrstev a ZnO vrstev dopovaných hliníkem či manganem. Pomocí Langmuirovy sondy byly studovány časově rozlišené vlastnosti nízkotlakého plazmového svazku pracujícího v pulzním módu za účelem zjištění hustoty plazmatu a elektronové teploty v aktivní části plazmového kanálu. Následně byla připravena sada ZnO vzorků o tloušťce 300 nm, které byly analyzovány pomocí rentgenové difrakce, elektronové mikroskopie, povrchové profilometrie, UV světelné amperometrie, optické elipsometrie a dalších metod. Všechny zkoumané vzorky byly krystalické, vykazovaly vodivost typu N s šířkou zakázaného pásu 3.5 eV a byly fotoelektrochemicky aktivní.
    Description in EnglishIn this paper we deal with multi plasma jet system with 4 independent nozzles working on the principle of surfatron generated discharge. Developed system was optimized for plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) of ZnO thin films and ZnO films doped by aluminum and manganese. Time-resolved measurement of plasma parameters of low pressure deposition process in pulse mode was performed in order to estimate plasma density and electron temperature in the active part of plasma channel. Consequently the set of ZnO thin films with thickness 300 nm was prepared and analyzed by XRD, SEM, EDX, surface profilometry, UV-light amperometry and optical ellipsometry. All samples under study were crystalline in nature, revealed N-type conductivity with band gap 3.5 eV and were photo-electrochemicaly active.
    WorkplaceInstitute of Physics
    ContactKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Year of Publishing2015
Number of the records: 1  

  This site uses cookies to make them easier to browse. Learn more about how we use cookies.