Number of the records: 1
Systém pro měření toků neutrálních a ionizovaných depozičních částic dopadajících na substrát při růstu tenkých vrstev
- 1.
SYSNO ASEP 0396132 Document Type P1 - Utility model, Industrial Design R&D Document Type Results of legal proteciton (Utility Model , Industrial Design) RIV Subspecies Užitný vzor Title Systém pro měření toků neutrálních a ionizovaných depozičních částic dopadajících na substrát při růstu tenkých vrstev Title System for measurement of ion and neutral particles flux deposited onto substrate during thin film deposition process Author(s) Hubička, Zdeněk (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Čada, Martin (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Kubart, T. (CZ)
Adámek, Petr (FZU-D) RID, ORCID
Olejníček, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Kment, Štěpán (FZU-D) RID, ORCIDYear of issue 2013 Name of the patent owner Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i Adress Praha Date of the utility model acceptance 16.09.2013 Utility model number 25867 Licence fee A - Poskytovatel licence požaduje licenční poplatek Current use A - Pouze udělený (dosud nevyužívaný) patent nebo patent využívaný jeho vlastníkem Use by another entity A - Pro využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence Code of the issuer name CZ001 - Úřad průmyslového vlastnictví Prague Language cze - Czech Keywords ion flux ; neutral particles ; magnetic field ; deposition rate Subject RIV BL - Plasma and Gas Discharge Physics R&D Projects TA01011740 GA TA ČR - Technology Agency of the Czech Republic (TA ČR) LH12043 GA MŠMT - Ministry of Education, Youth and Sports (MEYS) Institutional support FZU-D - RVO:68378271 Annotation Technické řešení měřiče ionizovaných a neutrálních depozičních částic a jejich vzájemného poměru lze použít při monitorování vlastností a parametrů procesu nanášení tenkých vrstev pomocí plazmochemických metod PECVD a fyzikálních plazmových depozičních metod PVD. Je známo, že velikost ionizace depozičních částic má velký vliv na kvalitu a fyzikální vlastnosti deponovaných vrstev. Description in English Technical solutions of measurement device for ionized and neutral particles and their ratio can be used to monitor the properties and process parameters during thin films deposition by means of PECVD and plasma PVD methods. It is known that the magnitude of the ionization fraction of deposited particles has a large influence on the quality and physical properties of the deposited films. Workplace Institute of Physics Contact Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Year of Publishing 2014 Electronic address http://spisy.upv.cz/UtilityModels/FullDocuments/FDUM0025/uv025867.pdf
Number of the records: 1