Kontrast dopovaných oblastí v polovodiči zobrazený sekundárními elektrony v SEM

Number of the records: 1

1.

SYSNO ASEP	0050961
Document Type	K - Proceedings Paper (Czech conf.)
R&D Document Type	The record was not marked in the RIV
Title	Kontrast dopovaných oblastí v polovodiči zobrazený sekundárními elektrony v SEM
Title	Dopant contrast imaged with SE in SEM
Author(s)	Mika, Filip (UPT-D)_{RID, SAI, ORCID} Frank, Luděk (UPT-D)_{RID, SAI, ORCID}
Source Title	Mikroskopie 2006. - Praha : Československá mikroskopická společnost, 2006 S. 37
Number of pages	1 s.
Action	Mikroskopie 2006
Event date	16.02.2006-17.02.2006
VEvent location	Nové Město na Moravě
Country	CZ - Czech Republic
Event type	CST
Language	cze - Czech
Country	CZ - Czech Republic
Keywords	dopant contrast ; SEM
Subject RIV	JA - Electronics ; Optoelectronics, Electrical Engineering
CEZ	AV0Z20650511 - UPT-D (2005-2011)
Annotation	Ačkoliv je kontrast dopantu v SEM studován více než jedno desetiletí,bezesporné vysvětlení jeho vzniku prozatím nebylo publikováno. Bylo zjištěno, že p-typ křemíku je v obraze SE světlejší než n-typ.
Description in English	The dopant contrast in SEM has now been studied for more than a decade, a clear explanation of it remains a matter for the future. Generally, p-type silicon appears brighter in the secondary electron (SE) emission than n-type.
Workplace	Institute of Scientific Instruments
Contact	Martina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178
Year of Publishing	2007

Number of the records: 1