Způsob řízení rychlosti depozice tenkých vrstev ve vakuovém vícetryskovém plazmovém systému a zařízení k provádění tohoto způsobu

0481686 - FZÚ 2018 RIV cze P - Patent Document
Olejníček, Jiří - Šmíd, Jiří - Hubička, Zdeněk - Adámek, Petr - Čada, Martin - Kment, Štěpán
Způsob řízení rychlosti depozice tenkých vrstev ve vakuovém vícetryskovém plazmovém systému a zařízení k provádění tohoto způsobu.
[A method of controlling the rate of deposition of thin layers in a vacuum multi-nozzle plasma system and a device for implementing this method.]
2017. Owner: Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. Date of the patent acceptance: 13.09.2017. Patent Number: 306980
R&D Projects: GA TA ČR(CZ) TF01000084
Institutional support: RVO:68378271
Keywords : hollow cathode * plasma nozzle * deposition * thin films
OECD category: Fluids and plasma physics (including surface physics)
https://isdv.upv.cz/webapp/webapp.pts.det?xprim=10241583&lan=cs&s_majs=&s_puvo=&s_naze=&s_anot=

Způsob řízení rychlosti depozice tenkých vrstev ve vakuovém vícetryskovém plazmovém systému využívajícím plazmochemické reakce v aktivní zóně generovaného výboje a tvořeném alespoň jednou řadou plazmatických trysek (4), jejichž pracovní trubice (42) jsou zakončeny dutou katodou (44), jejíž ústí je ustaveno v blízkosti horní plochy nosné soupravy (2) s uloženým substrátem (3), kde podstata řešení spočívá v tom, že při depozici tenké vrstvy na substrát (3) je po samostatném zapálení výbojů v každé plazmové trysce (4) a při řízení jejich parametrů prostřednictvím vnějších zdrojů (6) napětí je teplota každé duté katody (44) bezkontaktně monitorována vlastním pyrometrem (8) a na základě vyhodnocení naměřených hodnot teploty a nastavených parametrů výboje je pomocí řídicí jednotky (9) regulován efektivní proud v každé z plazmatických trysek (4) tak, aby depoziční rychlosti všech dutých katod (44) plazmatických trysek (4) byly shodné. Podstatou vynálezu je rovněž zařízení k provádění způsobu řízení rychlosti depozice.

The method of controlling the rate of deposition of thin layers in a vacuum multi-nozzle plasma system using plasmachemical reactions in the active zone of the generated discharge and constituted by at least one set of plasma nozzles (4), whose working tubes (42) are terminated by the hollow cathode (44) whose orifice is established in the vicinity of the upper surface of the support assembly (2) with the deposited substrate (3), wherein the principle of the solution lies in the fact that, during the deposition of the thin layer on the substrate (3), after the individual ignition of the discharges in each of the plasma nozzle (4) and during controlling their parameters by means of the external voltage sources (4), the temperature of each hollow cathode (44) is contactlessly monitored by its own pyrometer (8) and, based on the evaluation of the measured temperature values and the set parameters of the discharge, the effective current in each of the plasma nozzles (4) is controlled by the control unit (9), so that the deposition rates of all the hollow cathodes (44) of the plasma nozzles (4) were identical. A device for implementing the method of controlling the rate of deposition is also the essence of the invention.
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0277207