Number of the records: 1  

RIR MAPLE Procedure for Deposition of Carbon Rich Si/C/H Films

  1. SYS0424399
    LBL
      
    03030^^^^^2200421^^^450
    005
      
    20240103203820.4
    014
      
    $a 000330208500056 $2 WOS
    017
    70
    $a 10.1016/j.apsusc.2013.11.153 $2 DOI
    100
      
    $a 20140218d m y slo 03 ba
    101
    0-
    $a eng $d eng
    102
      
    $a NL
    200
    1-
    $a RIR MAPLE Procedure for Deposition of Carbon Rich Si/C/H Films
    215
      
    $a 7 s.
    463
    -1
    $1 001 cav_un_epca*0256173 $1 011 $a 0169-4332 $e 1873-5584 $1 200 1 $a Applied Surface Science $v Roč. 292, FEB 15 (2014), s. 413-419 $1 210 $c Elsevier
    610
    0-
    $a MAPLE
    610
    0-
    $a dendrimer
    610
    0-
    $a SiC
    610
    0-
    $a DLC
    610
    0-
    $a cross-kinking
    700
    -1
    $3 cav_un_auth*0103249 $a Dřínek $b Vladislav $i Oddělení analytické a materiálové chemie $j Department of Analytical and Material Chemistry $p UCHP-M $w Department of Laser Chemistry $4 070 $T Ústav chemických procesů AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0238707 $a Strašák $b Tomáš $i Oddělení analytické a materiálové chemie $j Department of Analytical and Material Chemistry $p UCHP-M $w Department of Bioorganic Compounds and Nanocomposites $4 070 $T Ústav chemických procesů AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0261494 $a Novotný $b F. $y CZ $4 070
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0103253 $a Fajgar $b Radek $i Oddělení analytické a materiálové chemie $j Department of Analytical and Material Chemistry $p UCHP-M $w Department of Laser Chemistry $4 070 $T Ústav chemických procesů AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0102745 $a Bastl $b Zdeněk $i Odd. nízkodimenzionálních systémů $j Dept. of Low-dimensional Systems $p UFCH-W $w Low-dimensional Systems $4 070 $T Ústav fyzikální chemie Jaroslava Heyrovského AV ČR, v. v. i.
Number of the records: 1  

  This site uses cookies to make them easier to browse. Learn more about how we use cookies.