Number of the records: 1  

Damage accumulation and implanted Gd and Au position in a- and c-plane GaN

  1. SYS0504789
    LBL
      
    01000a^^22220027750^450
    005
      
    20240103222039.4
    014
      
    $a 85065012318 $2 SCOPUS
    014
      
    $a 000467389900016 $2 WOS
    017
      
    $a 10.1016/j.tsf.2019.04.035 $2 DOI
    100
      
    $a 20190523d m y slo 03 ba
    101
      
    $a eng $d eng
    102
      
    $a CH
    200
    1-
    $a Damage accumulation and implanted Gd and Au position in a- and c-plane GaN
    215
      
    $a 12 s. $c P
    463
    -1
    $1 001 cav_un_epca*0257662 $1 011 $a 0040-6090 $e 1879-2731 $1 200 1 $a Thin Solid Films $v Roč. 680, č. 6 (2019), s. 102-113 $1 210 $c Elsevier
    610
      
    $a Implanted (0001) and (11-20) GaN
    610
      
    $a Damage accumulation asymmetry in GaN
    610
      
    $a Ion implantation in semiconductors
    610
      
    $a RBS channelling
    610
      
    $a Damage-depth profiling
    700
    -1
    $3 cav_un_auth*0100958 $a Macková $b Anna $p UJF-V $i Oddělení neutronové fyziky $j Department of Neutron Physics $k ONF $w Research with Beams of Ions and Neutrons $T Ústav jaderné fyziky AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0227604 $a Malinský $b Petr $p UJF-V $i Oddělení neutronové fyziky $j Department of Neutron Physics $k ONF $w Research with Beams of Ions and Neutrons $T Ústav jaderné fyziky AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0351579 $a Jagerová $b Adéla $p UJF-V $i Oddělení neutronové fyziky $j Department of Neutron Physics $k ONF $w Research with Beams of Ions and Neutrons $T Ústav jaderné fyziky AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0267048 $a Mikšová $b Romana $p UJF-V $i Oddělení neutronové fyziky $j Department of Neutron Physics $k ONF $w Research with Beams of Ions and Neutrons $T Ústav jaderné fyziky AV ČR, v. v. i.
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0237000 $a Sofer $b Z. $y CZ
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0327822 $a Klímová $b K. $y CZ
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0244550 $a Mikulics $b M. $y DE
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0330330 $a Bottger $b R. $y DE
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0351580 $a Akhmadaliev $b S. $y DE
    701
    -1
    $3 cav_un_auth*0100426 $a Oswald $b Jiří $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
    856
      
    $9 RIV $u https://doi.org/10.1016/j.tsf.2019.04.035
Number of the records: 1  

  This site uses cookies to make them easier to browse. Learn more about how we use cookies.