Number of the records: 1
GaAsSb strain reducing layers for InAs/GaAs quantum dot long wavelength and high efficiency emission
SYS 0367155 LBL 02259^^^^^2200373^^^450 005 20240103195832.1 100 $a 20111116d m y slo 03 ba 101 0-
$a eng 102 $a PL 200 1-
$a GaAsSb strain reducing layers for InAs/GaAs quantum dot long wavelength and high efficiency emission 215 $a 4 s. 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0367157 $1 010 $a 978-83-7493-599-9 $1 200 1 $a EWMOVPE XIV $v S. 105-108 $1 210 $a Wroclaw $c Printing house of Wroclaw University of Technology $d 2011 $1 702 1 $a Prazmowska $b J. $4 340 610 0-
$a quantum dot 610 0-
$a InAs 610 0-
$a GaAs 610 0-
$a GaAsSb strain reducing layer 610 0-
$a photoluminescence 700 -1
$3 cav_un_auth*0100238 $a Hospodková $b Alice $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100432 $a Pangrác $b Jiří $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100426 $a Oswald $b Jiří $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100338 $a Kuldová $b Karla $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0238063 $a Vyskočil $b Jan $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100250 $a Hulicius $b Eduard $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0015168 $a Hazdra $b P. $y CZ $4 070
Number of the records: 1