Number of the records: 1
InAs/GaAs quantum dot capping in kinetically limited MOVPE growth regime
SYS 0359526 LBL 02480^^^^^2200433^^^450 005 20240103195156.5 014 $a 000288837700008 $2 WOS 017 $a 10.1016/j.jcrysgro.2010.12.076 $2 DOI 100 $a 20110513d m y slo 03 ba 101 0-
$a eng 102 $a NL 200 1-
$a InAs/GaAs quantum dot capping in kinetically limited MOVPE growth regime 215 $a 4 s. 300 $a CEZ:MSM6840770014 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0256941 $1 011 $a 0022-0248 $e 1873-5002 $1 200 1 $a Journal of Crystal Growth $v Roč. 317, č. 1 (2011), s. 39-42 $1 210 $c Elsevier 610 0-
$a low dimensional structures 610 0-
$a photoluminescence 610 0-
$a low-pressure MOVPE 610 0-
$a InAs/GaAs quantum dots 610 0-
$a semiconducting III–V materials 700 -1
$3 cav_un_auth*0100238 $a Hospodková $b Alice $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100432 $a Pangrác $b Jiří $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0238063 $a Vyskočil $b Jan $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100426 $a Oswald $b Jiří $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0240734 $a Vetushka $b Aliaksi $i Tenké vrstvy a nanostruktury $j Thin Films and Nanostructures $p FZU-D $w Thin Films and Nanostructures $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0254173 $a Caha $b O. $y CZ $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0015168 $a Hazdra $b P. $y CZ $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0100338 $a Kuldová $b Karla $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100250 $a Hulicius $b Eduard $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Number of the records: 1