Number of the records: 1
Raman scattering in silicon disordered by gold ion implantation
SYS 0346873 LBL 02570^^^^^2200373^^^450 005 20240103193818.6 014 $a 000281092600031 $2 WOS 017 $a 10.1002/pssb.200983932 $2 DOI 100 $a 20110131d m y slo 03 ba 101 0-
$a eng 102 $a DE 200 1-
$a Raman scattering in silicon disordered by gold ion implantation 215 $a 5 s. 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0257422 $1 011 $a 0370-1972 $e 1521-3951 $1 200 1 $a Physica Status Solidi B $e Basic Solid State Physics $v Roč. 247, č. 8 (2010), s. 2022-2026 $1 210 $c Wiley 610 0-
$a ion implantation 610 0-
$a Raman spectra 610 0-
$a Rutherford backscattering spectroscopy 700 -1
$3 cav_un_auth*0233927 $a Lavrentiev $b Vasyl $i Oddělení neutronové fyziky $j Department of Neutron Physics $k ONF $p UJF-V $w Research with Beams of Ions and Neutrons $4 070 $T Ústav jaderné fyziky AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0101040 $a Vacík $b Jiří $i Oddělení neutronové fyziky $j Department of Neutron Physics $k ONF $p UJF-V $w Research with Beams of Ions and Neutrons $4 070 $T Ústav jaderné fyziky AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100614 $a Vorlíček $b Vladimír $i Spektroskopie strukturních fázových přechodů $j Advanced and nanostructured dielectric materials $p FZU-D $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0101047 $a Voseček $b Václav $i Oddělení neutronové fyziky $j Department of Neutron Physics $k ONF $p UJF-V $w Research with Beams of Ions and Neutrons $4 070 $T Ústav jaderné fyziky AV ČR, v. v. i.
Number of the records: 1