Number of the records: 1
Electroluminescence in p-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/p(n)-GaSb type II heterostructures with deep quantum wells at the interface
SYS 0342123 LBL 01779^^^^^2200349^^^450 005 20240103193422.0 014 $a 000273980800010 $2 WOS 017 $a 10.1134/S1063782610010100 $2 DOI 100 $a 20100414d m y slo 03 ba 101 0-
$a eng 102 $a RU 200 1-
$a Electroluminescence in p-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/p(n)-GaSb type II heterostructures with deep quantum wells at the interface 215 $a 6 s. 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0255036 $1 011 $a 1063-7826 $e 1090-6479 $1 200 1 $a Semiconductors $v Roč. 44, č. 1 (2010), 66-71 610 0-
$a electroluninescence 610 0-
$a MOVPE 610 0-
$a GaSb 610 0-
$a InAs 610 0-
$a quantum well 700 -1
$3 cav_un_auth*0040001 $a Mikhailova $b M. P. $y RU $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0215732 $a Ivanov $b E.V. $y RU $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0040000 $a Moiseev $b K. D. $y RU $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0035979 $a Yakovlev $b Yu. P. $y RU $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0100250 $a Hulicius $b Eduard $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100238 $a Hospodková $b Alice $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100432 $a Pangrác $b Jiří $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100554 $a Šimeček $b Tomislav $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Number of the records: 1