Number of the records: 1
Photoemission from alfa and beta phases of the GaAs(001)-c(4x4) surface
SYS 0340742 LBL 01364^^^^^2200325^^^450 005 20240103193257.4 014 $a 000271179600009 $2 WOS 017 $a 10.1016/j.susc.2009.08.021 $2 DOI 100 $a 20100312d m y slo 03 ba 101 0-
$a eng 102 $a NL 200 1-
$a Photoemission from alfa and beta phases of the GaAs(001)-c(4x4) surface 215 $a 7 s. 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0257631 $1 011 $a 0039-6028 $e 1879-2758 $1 200 1 $a Surface Science $v Roč. 603, č. 20 (2009), s. 3088-3093 $1 210 $c Elsevier 610 0-
$a gallium arsenide 610 0-
$a angle resolved photoemission 610 0-
$a synchrotron radiation photoelectron spectroscopy 610 0-
$a molecular beam epitaxy 610 0-
$a surface core level shift 700 -1
$3 cav_un_auth*0100265 $a Jiříček $b Petr $i Optické materiály $j Optical Materials $p FZU-D $w Optical Materials $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100166 $a Cukr $b Miroslav $i Spintronika a nanoelektronika $j Spintronics and Nanoelectronics $p FZU-D $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100128 $a Bartoš $b Igor $i Strukturní analýza $j Structural Analysis $p FZU-D $w Structure Analysis $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0244265 $a Sadowski $b J. $y PL $4 070
Number of the records: 1