Number of the records: 1
Growth and properties of InAs/In.sub.x./sub.Ga.sub.1-x./sub.As/GaAs quantum dot structures
SYS 0308047 LBL 02513^^^^^2200385^^^450 005 20240103190032.4 017 7-
$a 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.055 $2 DOI 100 $a 20080522d m y slo 03 ba 101 0-
$a eng 102 $a NL 200 1-
$a Growth and properties of InAs/InxGa1-xAs/GaAs quantum dot structures 215 $a 5 s. 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0256941 $1 011 $a 0022-0248 $e 1873-5002 $1 200 1 $a Journal of Crystal Growth $v Roč. 310, 7-9 (2008), s. 2229-2233 $1 210 $c Elsevier 541 1-
$a Růst a vlastnosti InAs/InxGa1-xAs/GaAs struktur s kvantovými tečkami $z cze 610 0-
$a nanostructures 610 0-
$a metalorganic vapor-phase epitaxy 610 0-
$a semiconducting III–V materials 700 -1
$3 cav_un_auth*0100250 $a Hulicius $b Eduard $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100426 $a Oswald $b Jiří $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100432 $a Pangrác $b Jiří $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0238063 $a Vyskočil $b Jan $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100238 $a Hospodková $b Alice $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100338 $a Kuldová $b Karla $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100384 $a Melichar $b Karel $p FZU-D $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100554 $a Šimeček $b Tomislav $p FZU-D $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Number of the records: 1