Number of the records: 1
Kvantitativní studium hustoty rozložení dopantu v polovodiči pomocí emise sekundárních elektronů
SYS 0050991 LBL 01651^^^^^2200253^^^450 005 20240103183529.1 100 $a 20070524d m y slo 03 ba 101 0-
$a cze 200 1-
$a Kvantitativní studium hustoty rozložení dopantu v polovodiči pomocí emise sekundárních elektronů 215 $a 4 s. 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0078044 $1 010 $a 80-239-7957-4 $1 200 1 $a PDS 2006 - Sborník prací doktorandů oboru Elektronová optika $v S. 33-36 $1 210 $a Brno $c ÚPT AV ČR $d 2006 541 1-
$a Quantitative 2D dopant profiling in semiconductor by the secondary electron emission $z eng 610 0-
$a semiconductor structure 610 0-
$a doping density 610 0-
$a contrast 700 -1
$3 cav_un_auth*0101596 $a Mika $b Filip $p UPT-D $w Electron Microscopy $4 070 $T Ústav přístrojové techniky AV ČR, v. v. i.
Number of the records: 1