Number of the records: 1  

Vícetryskový PVD depoziční systém

  1. 1.
    0465021 - FZÚ 2017 RIV CZ cze L - Prototype, f. module
    Šmíd, Jiří - Olejníček, Jiří - Hubička, Zdeněk - Čada, Martin
    Vícetryskový PVD depoziční systém.
    [Multijet PVD deposition system.]
    Internal code: UHV-4DK/FZU2016 ; 2016
    Technical parameters: Výsledek je tvořen UHV systémem čerpaným rotační a turbomolekulární vývěvou a obsahuje 4 lineární plazmové trysky pracující na principu výboje v duté katodě. Systém je průběžně upgradován. Ve spouštěcí konfi-guraci měl následující technické parametry: mezní tlak p0: 1x10-3 Pa, pracovní tlak pw: 0.1 – 100 Pa, maximální napětí na zdroji: Um: 600 V, maximální výbojový proud: Im: 5 A, příčný rozměr substrátu lm: až 20 cm, maximální depoziční rychlost dosažená pro TiO2 vrstvy rm: 20 μm/hod.
    Economic parameters: Vyvinutý depoziční systém umožňuje vysokorychlostní depozici homogenních oxidových vrstev. Oproti dostupným komerčním magnetronovým systémům dosahuje v DC režimu až desetinásobnou depoziční rychlost.
    R&D Projects: GA TA ČR(CZ) TF01000084
    Institutional support: RVO:68378271
    Keywords : hollow cathode discharge * multi plasma-jet * thin films * PVD * sputtering
    Subject RIV: BL - Plasma and Gas Discharge Physics

    Funkční vzorek představuje vysokorychlostní depoziční zařízení určené primárně pro nanášení homogenních oxidových vrstev. Systém využívá několik plazmatických trysek umístěných do jedné řady, které pracují na principu výboje v duté katodě. Vysoké depoziční rychlosti je dosahováno kombinací nereaktivního rozprašování ve vnitřním prostoru duté katody a tepelnou evaporací materiálu z povrchu trysky.

    High speed deposition system for homogenous sputtering of oxide thin films. The system uses several plasma-nozzles mounted in one line, which work on the principle of hollow cathode discharge. High speed of deposition process is achieved by combination of non-reactive sputtering inside the hollow cathode with thermal evaporation of hollow cathode material.
    Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0263763

     
     
Number of the records: 1  

  This site uses cookies to make them easier to browse. Learn more about how we use cookies.