Number of the records: 1
Properties of RF magnetron sputtered gallium nitride semiconductors doped with erbium
SYS 0105579 LBL 03760^^^^^2200337^^^450 005 20240103173053.2 100 $a 20050415d m y slo 03 ba 101 0-
$a eng $d eng 102 $a GB 200 1-
$a Properties of RF magnetron sputtered gallium nitride semiconductors doped with erbium 215 $a 3 s. 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0257629 $1 011 $a 0142-2421 $e 1096-9918 $1 200 1 $a Surface and Interface Analysis $v Roč. 36, č. 8 (2004), s. 952-954 $1 210 $c Wiley 541 1-
$a Vlastnosti RF magnetronově naprášených galium-nitridových polovodičů $z cze 610 0-
$a Er-doped GaN 610 0-
$a luminescence 610 0-
$a magnetron sputtering 700 -1
$3 cav_un_auth*0100985 $a Peřina $b Vratislav $p UJF-V $w Research with Beams of Ions and Neutrons $4 070 $T Ústav jaderné fyziky AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100958 $a Macková $b Anna $p UJF-V $w Research with Beams of Ions and Neutrons $4 070 $T Ústav jaderné fyziky AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100914 $a Hnatowicz $b Vladimír $p UJF-V $w Research with Beams of Ions and Neutrons $4 070 $T Ústav jaderné fyziky AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0015415 $a Prajzler $b V. $y CZ $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0017942 $a Machovič $b V. $y CZ $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0017716 $a Matějka $b P. $y CZ $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0017866 $a Schröfel $b J. $y CZ $4 070
Number of the records: 1