Number of the records: 1
Technologie výroby nelineárních fázových masek
- 1.
SYSNO ASEP 0575662 Document Type Z - Pilot plant, Verified Technology, Plant Breed/Variety R&D Document Type Pilot Plant, Verified Technology, Plant Breed/Variety RIV Subspecies Ověřená technologie Title Technologie výroby nelineárních fázových masek Title The manufacturing process of apodized phase masks Author(s) Krátký, Stanislav (UPT-D) RID, ORCID, SAI
Kolařík, Vladimír (UPT-D) RID, ORCID, SAI
Fořt, Tomáš (UPT-D) RID, ORCID, SAI
Mikel, Břetislav (UPT-D) RID, SAI
Helán, R. (CZ)
Urban, F. (CZ)Year of issue 2023 Int.Code APL-2023-03 Technical parameters Technologie pro výrobu nelineárních fázových masek pro vlnovou délku dopadajícího světla 248 nm pomocí elektronové litografie a reaktivního iontového leptání do materiálu fused silica. Přesnost zápisu periody mřížky je 0,1 nm, přesnost naladění hloubky mřížky je ±5 nm. Economic parameters Ověřená technologie realizovaná při řešení grantu s předpokladem smluvního využití s ekonomickým přínosem i po jeho ukončení. Kontakt: Ing. Stanislav Krátký, Ph.D., kratky@isibrno.cz. Owner Name Ústav přístrojové techniky AV ČR, v. v. i. Registration Number of the result owner 68081731 Applied result category by the cost of its creation A - Vyčerpaná část nákladů <= 5 mil. Kč Licence fee A - Poskytovatel licence požaduje licenční poplatek Language cze - Czech Country CZ - Czech Republic Keywords apodized phase mask ; e-beam lithography ; reactive ion etching Subject RIV BH - Optics, Masers, Lasers OECD category Optics (including laser optics and quantum optics) R&D Projects FW01010379 GA TA ČR - Technology Agency of the Czech Republic (TA ČR) Institutional support UPT-D - RVO:68081731 Annotation Technologie přípravy fázových nelineárních masek je založena na kombinaci elektronové litografie a reaktivního iontového leptání. Jako substrát je použit materiál fused silica o tloušťce 2,286 mm. Maska, přes kterou se leptá skleněný substrát, je molybdenová vrstva o tloušťce 50 nm připravená magnetronovým naprašováním. Na kovovou masku je do rezistu PMMA o tloušťce 120 nm zapsán motiv mřížky elektronovou litografií se změnou periody 0,1 nm. Přes rezistovou masku se leptá reaktivním iontovým leptáním směsí plynu SF6 a Ar molybdenová maska, přes kterou se leptá skleněný substrát směsí plynů CHF3 a CF4. Přesnost naladění hloubky je ±5 nm. Description in English The manufacturing process of apodized phase mask is based on combination e-beam lithography and reactive ion etching. Fused silica with a thickness of 2,286 mm is used as a substrate. Magnetron sputtered molybdenum layer with a thickness of 50 nm is used as a hard mask for etching the glass substrate. The pattern of the grating is exposed by e-beam writer into the layer of PMMA resist witch thickness of 120 nm. The amallest step of the pitch can be up to 0,1 nm. The etching of molybdenum mask is carried out with reactive ion etching system witch use of gas mixture of SF6 and Ar. The glass substrate is etched by the same system with use of gas mixture of CHF3 and CF4. The precision of the grating depth is ±5 nm. Workplace Institute of Scientific Instruments Contact Martina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178 Year of Publishing 2024
Number of the records: 1