Number of the records: 1
V-pits formation in InGaN/GaN: influence of threading dislocations and indium content
SYS 0556260 LBL 01000a^^22220027750^450 005 20250317111711.9 014 $a 85128130915 $2 SCOPUS 014 $a 000778222800001 $2 WOS 017 $a 10.1088/1361-6463/ac5c1a $2 DOI 100 $a 20220401d m y slo 03 ba 101 $a eng 102 $a GB 200 1-
$a V-pits formation in InGaN/GaN: influence of threading dislocations and indium content 215 $a 15 s. 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0257167 $1 011 $a 0022-3727 $e 1361-6463 $1 200 1 $a Journal of Physics D-Applied Physics $v Roč. 55, č. 25 (2022) $1 210 $c Institute of Physics Publishing 610 $a V-pits 610 $a InGaN/GaN 610 $a dislocations 610 $a x-ray diffraction 610 $a diffuse scattering 610 $a XRD 610 $a RSM 700 -1
$3 cav_un_auth*0367366 $a Stránská Matějová $b J. $y CZ 701 -1
$3 cav_un_auth*0100238 $a Hospodková $b Alice $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0401437 $a Košutová $b T. $y CZ 701 -1
$3 cav_un_auth*0334462 $a Hubáček $b Tomáš $p FZU-D $i Polovodiče $j Semiconductors $w Semiconductors $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0294089 $a Hývl $b Matěj $p FZU-D $i Tenké vrstvy a nanostruktury $j Thin Films and Nanostructures $w Thin Films and Nanostructures $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0047083 $a Holý $b V. $y CZ 856 $u https://doi.org/10.1088/1361-6463/ac5c1a $9 RIV
Number of the records: 1